IXFA130N10T2 Preços (USD) [30787pcs Estoque]
- 1 pcs$1.34832
- 150 pcs$1.34161
- Número da peça:
- IXFA130N10T2
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Módulos de driver de energia, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - DIACs, SIDACs and Tiristores - SCRs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXFA130N10T2 electronic components. IXFA130N10T2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFA130N10T2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFA130N10T2 Atributos do produto
Número da peça :
IXFA130N10T2
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA
Series :
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
130A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.1 mOhm @ 65A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
130nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
6600pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
360W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-263 (IXFA)
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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