Toshiba Semiconductor and Storage - TK10A80W,S4X

KEY Part #: K6398363

TK10A80W,S4X Preços (USD) [32699pcs Estoque]

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Número da peça:
TK10A80W,S4X
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220SIS.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Diodos - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK10A80W,S4X Atributos do produto

Número da peça : TK10A80W,S4X
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220SIS
Series : DTMOSIV
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 9.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 550 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 450µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 19nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1150pF @ 300V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 40W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220SIS
Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack

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