[13390pcs Estoque]
- Número da peça:
- NP110N055PUK-E1-AY
- Fabricante:
- Renesas Electronics America
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 55V 110A TO-263.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Módulos de driver de energia, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - TRIACs, Diodos - Retificadores - Solteiro and Diodos - retificadores de ponte ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Renesas Electronics America NP110N055PUK-E1-AY electronic components. NP110N055PUK-E1-AY can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NP110N055PUK-E1-AY, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NP110N055PUK-E1-AY Atributos do produto
Número da peça :
NP110N055PUK-E1-AY
Fabricante :
Renesas Electronics America
Descrição :
MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
110A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.75 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
294nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
16050pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.8W (Ta), 348W (Tc)
Temperatura de operação :
175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-263
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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