SISS23DN-T1-GE3 Preços (USD) [252282pcs Estoque]
- 1 pcs$0.14661
- 3,000 pcs$0.13796
- Número da peça:
- SISS23DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - RF, Tiristores - SCRs, Tiristores - TRIACs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Diodos - Zener - Single ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SISS23DN-T1-GE3 electronic components. SISS23DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SISS23DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SISS23DN-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SISS23DN-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
50A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.5 mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
900mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
300nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
8840pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
4.8W (Ta), 57W (Tc)
Temperatura de operação :
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Pacote / caso :
8-PowerVDFN
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