STMicroelectronics - STP10NM60N

KEY Part #: K6403123

STP10NM60N Preços (USD) [29687pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.38820
  • 10 pcs$1.25423
  • 100 pcs$0.95615
  • 500 pcs$0.74367
  • 1,000 pcs$0.61619

Número da peça:
STP10NM60N
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs, Módulos de driver de energia and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STP10NM60N Atributos do produto

Número da peça : STP10NM60N
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : MOSFET N-CH 600V 10A TO220
Series : MDmesh™ II
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 550 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 19nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 540pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 70W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220AB
Pacote / caso : TO-220-3

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