Nexperia USA Inc. - PMV65XPEAR

KEY Part #: K6417392

PMV65XPEAR Preços (USD) [809638pcs Estoque]

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Número da peça:
PMV65XPEAR
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 20V SOT23.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - TRIACs and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMV65XPEAR Atributos do produto

Número da peça : PMV65XPEAR
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descrição : MOSFET P-CH 20V SOT23
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2.8A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 78 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.25V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 9nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 618pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-236AB
Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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