Vishay Siliconix - SI3460DDV-T1-GE3

KEY Part #: K6421454

SI3460DDV-T1-GE3 Preços (USD) [575693pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.06425
  • 3,000 pcs$0.06069

Número da peça:
SI3460DDV-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-TSOP.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
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Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI3460DDV-T1-GE3 Atributos do produto

Número da peça : SI3460DDV-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-TSOP
Series : TrenchFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 7.9A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 8V
Vgs (máx.) : ±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 666pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 6-TSOP
Pacote / caso : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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