Número da peça :
SI3460DDV-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-TSOP
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
7.9A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
28 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
18nC @ 8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
666pF @ 10V
Dissipação de energia (máx.) :
1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
6-TSOP
Pacote / caso :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6