IXRFSM12N100 Preços (USD) [3782pcs Estoque]
- 1 pcs$11.45278
- Número da peça:
- IXRFSM12N100
- Fabricante:
- IXYS-RF
- Descrição detalhada:
- 2A 1000V MOSFET IN SMPD PACKAGE.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS-RF IXRFSM12N100 electronic components. IXRFSM12N100 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXRFSM12N100, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXRFSM12N100 Atributos do produto
Número da peça :
IXRFSM12N100
Fabricante :
IXYS-RF
Descrição :
2A 1000V MOSFET IN SMPD PACKAGE
Series :
SMPD
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
12A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.05 Ohm @ 6A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
77nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2875pF @ 800V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
940W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
16-SMPD
Pacote / caso :
16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad
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