Diodes Incorporated - DMN4008LFG-13

KEY Part #: K6394728

DMN4008LFG-13 Preços (USD) [271359pcs Estoque]

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Número da peça:
DMN4008LFG-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN4008LFG-13 Atributos do produto

Número da peça : DMN4008LFG-13
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 14.4A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 3.3V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 74nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3537pF @ 20V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerDI3333-8
Pacote / caso : 8-PowerWDFN