FDT86256 Preços (USD) [202426pcs Estoque]
- 1 pcs$0.18363
- 4,000 pcs$0.18272
- Número da peça:
- FDT86256
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 150V 1.2A SOT-223-4.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDT86256 electronic components. FDT86256 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDT86256, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDT86256 Atributos do produto
Número da peça :
FDT86256
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 150V 1.2A SOT-223-4
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
150V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.2A (Ta), 3A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
845 mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
2nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
73pF @ 75V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.3W (Ta), 10W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-223-4
Pacote / caso :
TO-261-4, TO-261AA
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