STB18NM80 Preços (USD) [48265pcs Estoque]
- 1 pcs$0.81011
- 1,000 pcs$0.72114
- Número da peça:
- STB18NM80
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Single, Transistores - JFETs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável and Tiristores - SCRs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in STMicroelectronics STB18NM80 electronic components. STB18NM80 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STB18NM80, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STB18NM80 Atributos do produto
Número da peça :
STB18NM80
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
Series :
MDmesh™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
17A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
295 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
70nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2070pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
190W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D2PAK
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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