ON Semiconductor - MMBF170LT1G

KEY Part #: K6419059

MMBF170LT1G Preços (USD) [1539447pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.02403
  • 3,000 pcs$0.02281

Número da peça:
MMBF170LT1G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Single and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MMBF170LT1G Atributos do produto

Número da peça : MMBF170LT1G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 500mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 60pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 225mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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