STH110N10F7-6 Preços (USD) [12429pcs Estoque]
- 1,000 pcs$0.66354
- Número da peça:
- STH110N10F7-6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - JFETs ...
- Vantagem competitiva:
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STH110N10F7-6 Atributos do produto
Número da peça :
STH110N10F7-6
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6
Series :
DeepGATE™, STripFET™ VII
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
110A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.5 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
72nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
5117pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
150W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
H2PAK-6
Pacote / caso :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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