IPZ60R099P6FKSA1 Preços (USD) [17156pcs Estoque]
- 1 pcs$2.40216
- 240 pcs$2.20391
- Número da peça:
- IPZ60R099P6FKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V TO247-4.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Módulos de driver de energia, Tiristores - SCRs, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - RF and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
- Vantagem competitiva:
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IPZ60R099P6FKSA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPZ60R099P6FKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 600V TO247-4
Series :
CoolMOS™ P6
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
37.9A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
99 mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 1.21mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
70nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3330pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
278W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO247-4
Pacote / caso :
TO-247-4
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