Microchip Technology - DN3135N8-G

KEY Part #: K6415992

DN3135N8-G Preços (USD) [196530pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.19282
  • 2,000 pcs$0.19186

Número da peça:
DN3135N8-G
Fabricante:
Microchip Technology
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 350V 0.135A SOT89-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Zener - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DN3135N8-G Atributos do produto

Número da peça : DN3135N8-G
Fabricante : Microchip Technology
Descrição : MOSFET N-CH 350V 0.135A SOT89-3
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 350V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 135mA (Tj)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 Ohm @ 150mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 120pF @ 25V
Recurso FET : Depletion Mode
Dissipação de energia (máx.) : 1.3W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-243AA (SOT-89)
Pacote / caso : TO-243AA
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