NVMFS5830NLT3G Preços (USD) [2578pcs Estoque]
- 5,000 pcs$0.37625
- Número da peça:
- NVMFS5830NLT3G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 40V 185A SO8FL.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Zener - Matrizes and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor NVMFS5830NLT3G electronic components. NVMFS5830NLT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVMFS5830NLT3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NVMFS5830NLT3G Atributos do produto
Número da peça :
NVMFS5830NLT3G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 40V 185A SO8FL
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
29A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
113nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
5880pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.8W (Ta), 158W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
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