SSM3K59CTB,L3F Preços (USD) [934746pcs Estoque]
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- 10,000 pcs$0.04353
- Número da peça:
- SSM3K59CTB,L3F
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 40V 2A CST3B.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - RF, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Vantagem competitiva:
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SSM3K59CTB,L3F Atributos do produto
Número da peça :
SSM3K59CTB,L3F
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N-CH 40V 2A CST3B
Series :
U-MOSVII-H
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
215 mOhm @ 1A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
1.1nC @ 4.2V
Vgs (máx.) :
±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
130pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1W (Ta)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
CST3B
Pacote / caso :
3-SMD, No Lead
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