Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3K59CTB,L3F

KEY Part #: K6416468

SSM3K59CTB,L3F Preços (USD) [934746pcs Estoque]

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  • 10,000 pcs$0.04353

Número da peça:
SSM3K59CTB,L3F
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 40V 2A CST3B.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Tiristores - SCRs, Módulos de driver de energia, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Transistores - JFETs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM3K59CTB,L3F Atributos do produto

Número da peça : SSM3K59CTB,L3F
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET N-CH 40V 2A CST3B
Series : U-MOSVII-H
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 215 mOhm @ 1A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 1.1nC @ 4.2V
Vgs (máx.) : ±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 130pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1W (Ta)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : CST3B
Pacote / caso : 3-SMD, No Lead

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