IXFA4N100Q Preços (USD) [13514pcs Estoque]
- 1 pcs$3.35373
- 10 pcs$2.99368
- 100 pcs$2.45465
- 500 pcs$1.98765
- 1,000 pcs$1.67633
- Número da peça:
- IXFA4N100Q
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - JFETs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Single and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXFA4N100Q electronic components. IXFA4N100Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFA4N100Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFA4N100Q Atributos do produto
Número da peça :
IXFA4N100Q
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263
Series :
HiPerFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 1.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
39nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1050pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
150W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-263 (IXFA)
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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