IXFX64N60Q3 Preços (USD) [3640pcs Estoque]
- 1 pcs$13.68125
- 10 pcs$12.65597
- 100 pcs$10.80893
- Número da peça:
- IXFX64N60Q3
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - SCRs, Diodos - Retificadores - Matrizes and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXFX64N60Q3 electronic components. IXFX64N60Q3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFX64N60Q3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFX64N60Q3 Atributos do produto
Número da peça :
IXFX64N60Q3
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247
Series :
HiPerFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
64A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
95 mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
6.5V @ 4mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
190nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
9930pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1250W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PLUS247™-3
Pacote / caso :
TO-247-3
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