Infineon Technologies - IPW90R500C3FKSA1

KEY Part #: K6416832

IPW90R500C3FKSA1 Preços (USD) [20463pcs Estoque]

  • 1 pcs$2.01400

Número da peça:
IPW90R500C3FKSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 900V 11A TO-247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Propósito Específico and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPW90R500C3FKSA1 Atributos do produto

Número da peça : IPW90R500C3FKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 900V 11A TO-247
Series : CoolMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 900V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 11A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 740µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 68nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1700pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 156W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO247-3
Pacote / caso : TO-247-3

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