IXTX210P10T Preços (USD) [5303pcs Estoque]
- 1 pcs$9.02924
- 30 pcs$8.98431
- Número da peça:
- IXTX210P10T
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 100V 210A PLUS247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXTX210P10T electronic components. IXTX210P10T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTX210P10T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTX210P10T Atributos do produto
Número da peça :
IXTX210P10T
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET P-CH 100V 210A PLUS247
Series :
TrenchP™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
210A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.5 mOhm @ 105A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
740nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±15V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
69500pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1040W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PLUS247™-3
Pacote / caso :
TO-247-3
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