IRFH5406TRPBF Preços (USD) [144144pcs Estoque]
- 1 pcs$0.25660
- 4,000 pcs$0.24631
- Número da peça:
- IRFH5406TRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 40A 8-PQFN.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Diodos - RF, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRFH5406TRPBF electronic components. IRFH5406TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFH5406TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFH5406TRPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRFH5406TRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 40A 8-PQFN
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
11A (Ta), 40A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
14.4 mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
35nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1256pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.6W (Ta), 46W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-PQFN (5x6)
Pacote / caso :
8-PowerVDFN
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