Vishay Siliconix - IRFPE50PBF

KEY Part #: K6399059

IRFPE50PBF Preços (USD) [20463pcs Estoque]

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  • 100 pcs$1.28495
  • 500 pcs$0.98714
  • 1,000 pcs$0.83253

Número da peça:
IRFPE50PBF
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 800V 7.8A TO-247AC.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs - Módulos and Diodos - Zener - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFPE50PBF Atributos do produto

Número da peça : IRFPE50PBF
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N-CH 800V 7.8A TO-247AC
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 7.8A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 200nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3100pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 190W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247-3
Pacote / caso : TO-247-3

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