Infineon Technologies - IRF6785MTRPBF

KEY Part #: K6418729

IRF6785MTRPBF Preços (USD) [74317pcs Estoque]

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  • 4,800 pcs$0.56679

Número da peça:
IRF6785MTRPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF6785MTRPBF Atributos do produto

Número da peça : IRF6785MTRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
Series : HEXFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3.4A (Ta), 19A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 36nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1500pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DIRECTFET™ MZ
Pacote / caso : DirectFET™ Isometric MZ

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