Taiwan Semiconductor Corporation - TSM900N06CH X0G

KEY Part #: K6416813

TSM900N06CH X0G Preços (USD) [179848pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.20566

Número da peça:
TSM900N06CH X0G
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição detalhada:
MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO251.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Zener - Matrizes and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM900N06CH X0G Atributos do produto

Número da peça : TSM900N06CH X0G
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição : MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO251
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 11A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 9.3nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 500pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 25W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-251 (IPAK)
Pacote / caso : TO-251-3 Stub Leads, IPak

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