IXFA10N80P Preços (USD) [36780pcs Estoque]
- 1 pcs$1.23871
- 50 pcs$1.23255
- Número da peça:
- IXFA10N80P
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 800V 10A TO-263.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Diodos - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Single, Transistores - JFETs and Transistores - Propósito Específico ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXFA10N80P electronic components. IXFA10N80P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFA10N80P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFA10N80P Atributos do produto
Número da peça :
IXFA10N80P
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 800V 10A TO-263
Series :
HiPerFET™, PolarHT™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
10A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.1 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 2.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
40nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2050pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
300W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-263 (IXFA)
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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