LSIC1MO170E1000 Preços (USD) [12469pcs Estoque]
- 1 pcs$3.30525
- Número da peça:
- LSIC1MO170E1000
- Fabricante:
- Littelfuse Inc.
- Descrição detalhada:
- MOSFET SIC 1700V N-CH TO-247-3L.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Littelfuse Inc. LSIC1MO170E1000 electronic components. LSIC1MO170E1000 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for LSIC1MO170E1000, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
LSIC1MO170E1000 Atributos do produto
Número da peça :
LSIC1MO170E1000
Fabricante :
Littelfuse Inc.
Descrição :
MOSFET SIC 1700V N-CH TO-247-3L
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
SiCFET (Silicon Carbide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1700V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
15V, 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1 Ohm @ 2A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 20V
Vgs (máx.) :
+22V, -6V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
200pF @ 1000V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
54W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247-3L
Pacote / caso :
TO-247-3
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