TK39A60W,S4VX Preços (USD) [9590pcs Estoque]
- 1 pcs$4.72871
- 50 pcs$3.87578
- 100 pcs$3.49762
- 500 pcs$2.93043
- Número da peça:
- TK39A60W,S4VX
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 39A TO220-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Single, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro and Diodos - Zener - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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TK39A60W,S4VX Atributos do produto
Número da peça :
TK39A60W,S4VX
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 39A TO220-3
Series :
DTMOSIV
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
38.8A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
65 mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.7V @ 1.9mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
110nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4100pF @ 300V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
50W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220SIS
Pacote / caso :
TO-220-3 Full Pack
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