Infineon Technologies - IPP034N03LGHKSA1

KEY Part #: K6402154

[2803pcs Estoque]


    Número da peça:
    IPP034N03LGHKSA1
    Fabricante:
    Infineon Technologies
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 30V 80A TO-220-3.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - SCRs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - RF, Diodos - Zener - Single and Módulos de driver de energia ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Infineon Technologies IPP034N03LGHKSA1 electronic components. IPP034N03LGHKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP034N03LGHKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPP034N03LGHKSA1 Atributos do produto

    Número da peça : IPP034N03LGHKSA1
    Fabricante : Infineon Technologies
    Descrição : MOSFET N-CH 30V 80A TO-220-3
    Series : OptiMOS™
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.4 mOhm @ 30A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 4.5V
    Vgs (máx.) : ±20V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 5300pF @ 15V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 94W (Tc)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Tipo de montagem : Through Hole
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO220-3-1
    Pacote / caso : TO-220-3

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