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ON Semiconductor - BS170-D26Z

KEY Part #: K6402105

BS170-D26Z Preços (USD) [1044465pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.03541
Número da peça:
BS170-D26Z
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - RF and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
Vantagem competitiva:
We specialize in ON Semiconductor BS170-D26Z electronic components. BS170-D26Z can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BS170-D26Z, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BS170-D26Z Atributos do produto

Número da peça : BS170-D26Z
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 500mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 40pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 830mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-92-3
Pacote / caso : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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