Infineon Technologies - BSC011N03LSATMA1

KEY Part #: K6416367

BSC011N03LSATMA1 Preços (USD) [119108pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.31054

Número da peça:
BSC011N03LSATMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Zener - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Módulos de driver de energia and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC011N03LSATMA1 Atributos do produto

Número da peça : BSC011N03LSATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
Series : OptiMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 37A (Ta), 100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.1 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 72nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4700pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TDSON-8
Pacote / caso : 8-PowerTDFN

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