Rohm Semiconductor - RUF025N02TL

KEY Part #: K6392926

RUF025N02TL Preços (USD) [437219pcs Estoque]

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Número da peça:
RUF025N02TL
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Diodos - Zener - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RUF025N02TL Atributos do produto

Número da peça : RUF025N02TL
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 54 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.3V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 5nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 370pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 320mW (Ta)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TUMT3
Pacote / caso : 3-SMD, Flat Leads

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