RZF013P01TL Preços (USD) [1062743pcs Estoque]
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- Número da peça:
- RZF013P01TL
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Módulos de driver de energia, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Matrizes and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Rohm Semiconductor RZF013P01TL electronic components. RZF013P01TL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RZF013P01TL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RZF013P01TL Atributos do produto
Número da peça :
RZF013P01TL
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.3A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
260 mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
2.4nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
290pF @ 6V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
800mW (Ta)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TUMT3
Pacote / caso :
3-SMD, Flat Leads
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