Diodes Incorporated - DMP58D0LFB-7

KEY Part #: K6416668

DMP58D0LFB-7 Preços (USD) [893743pcs Estoque]

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  • 3,000 pcs$0.03759

Número da peça:
DMP58D0LFB-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 50V 0.18A DFN1006-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Transistores - JFETs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMP58D0LFB-7 Atributos do produto

Número da peça : DMP58D0LFB-7
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET P-CH 50V 0.18A DFN1006-3
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 50V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 180mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 Ohm @ 100mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 27pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 470mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 3-DFN1006 (1.0x0.6)
Pacote / caso : 3-UFDFN

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