[3219pcs Estoque]
- Número da peça:
- JANSR2N7380
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrição detalhada:
- N CHANNEL MOSFET TO-257 RAD.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Módulos de driver de energia, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Matrizes and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Microsemi Corporation JANSR2N7380 electronic components. JANSR2N7380 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANSR2N7380, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
JANSR2N7380 Atributos do produto
Número da peça :
JANSR2N7380
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrição :
N CHANNEL MOSFET TO-257 RAD
Series :
Military, MIL-PRF-19500/614
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
14.4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
200 mOhm @ 14.4A, 12V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
40nC @ 12V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2W (Ta), 75W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-257
Pacote / caso :
TO-257-3
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