FCH041N65F-F085 Preços (USD) [7197pcs Estoque]
- 1 pcs$5.72569
- Número da peça:
- FCH041N65F-F085
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 650V 76A TO247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Módulos de driver de energia and Transistores - IGBTs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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FCH041N65F-F085 Atributos do produto
Número da peça :
FCH041N65F-F085
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 650V 76A TO247
Series :
Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
76A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
41 mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
304nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
13566pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
595W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247
Pacote / caso :
TO-247-3
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