[12718pcs Estoque]
- Número da peça:
- IRF7526D1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - SCRs, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRF7526D1 electronic components. IRF7526D1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7526D1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF7526D1 Atributos do produto
Número da peça :
IRF7526D1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
Series :
FETKY™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
200 mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
11nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
180pF @ 25V
Recurso FET :
Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.) :
1.25W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Micro8™
Pacote / caso :
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
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