IXTA3N120HV Preços (USD) [15181pcs Estoque]
- 1 pcs$7.03798
- 10 pcs$6.39896
- 100 pcs$5.43912
- Número da peça:
- IXTA3N120HV
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO263.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - SCRs, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Matrizes and Módulos de driver de energia ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXTA3N120HV electronic components. IXTA3N120HV can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTA3N120HV, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTA3N120HV Atributos do produto
Número da peça :
IXTA3N120HV
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO263
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
42nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1100pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
200W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-263
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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