ON Semiconductor - FCH104N60F

KEY Part #: K6398425

FCH104N60F Preços (USD) [17096pcs Estoque]

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  • 500 pcs$1.68991
  • 1,000 pcs$1.42522

Número da peça:
FCH104N60F
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V 37A TO-247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - IGBTs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCH104N60F Atributos do produto

Número da peça : FCH104N60F
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 600V 37A TO-247
Series : HiPerFET™, Polar™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 37A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 104 mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 139nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 5950pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 357W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247
Pacote / caso : TO-247-3

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