Diodes Incorporated - DMTH10H015LK3-13

KEY Part #: K6403285

DMTH10H015LK3-13 Preços (USD) [214990pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.17204
  • 2,500 pcs$0.15227

Número da peça:
DMTH10H015LK3-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET NCH 100V 52.5A TO252.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMTH10H015LK3-13 Atributos do produto

Número da peça : DMTH10H015LK3-13
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET NCH 100V 52.5A TO252
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 52.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 33.3nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1871pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.1W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-252-4L
Pacote / caso : TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

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