[1087pcs Estoque]
- Número da peça:
- SPP15P10PGHKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 100V 15A TO-220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - RF and Diodos - Zener - Single ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies SPP15P10PGHKSA1 electronic components. SPP15P10PGHKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPP15P10PGHKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SPP15P10PGHKSA1 Atributos do produto
Número da peça :
SPP15P10PGHKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET P-CH 100V 15A TO-220
Series :
SIPMOS®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
15A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
240 mOhm @ 10.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 1.54mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
48nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1280pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
128W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO220-3
Pacote / caso :
TO-220-3
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