ON Semiconductor - FQD4P25TF

KEY Part #: K6413265

[13160pcs Estoque]


    Número da peça:
    FQD4P25TF
    Fabricante:
    ON Semiconductor
    Descrição detalhada:
    MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - IGBTs - Single ...
    Vantagem competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQD4P25TF Atributos do produto

    Número da peça : FQD4P25TF
    Fabricante : ON Semiconductor
    Descrição : MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
    Series : QFET®
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : P-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 250V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3.1A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.1 Ohm @ 1.55A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±30V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 420pF @ 25V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 2.5W (Ta), 45W (Tc)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D-Pak
    Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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