APTM10UM01FAG Preços (USD) [487pcs Estoque]
- 1 pcs$95.20883
- 10 pcs$90.61072
- 25 pcs$87.32781
- Número da peça:
- APTM10UM01FAG
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 860A SP6.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Módulos de driver de energia, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Microsemi Corporation APTM10UM01FAG electronic components. APTM10UM01FAG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM10UM01FAG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
APTM10UM01FAG Atributos do produto
Número da peça :
APTM10UM01FAG
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 860A SP6
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
860A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.6 mOhm @ 275A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 12mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
2100nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
60000pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2500W (Tc)
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SP6
Pacote / caso :
SP6
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