Rohm Semiconductor - RUR020N02TL

KEY Part #: K6416922

RUR020N02TL Preços (USD) [608823pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.06716
  • 3,000 pcs$0.06683

Número da peça:
RUR020N02TL
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - JFETs and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RUR020N02TL Atributos do produto

Número da peça : RUR020N02TL
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 105 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 2nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 180pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 540mW (Ta)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TSMT3
Pacote / caso : SC-96

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