IRF6811STRPBF Preços (USD) [132815pcs Estoque]
- 1 pcs$0.45065
- 4,800 pcs$0.44841
- Número da peça:
- IRF6811STRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - IGBTs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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IRF6811STRPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRF6811STRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
19A (Ta), 74A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.7 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 35µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
17nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1590pF @ 13V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.1W (Ta), 32W (Tc)
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DIRECTFET™ SQ
Pacote / caso :
DirectFET™ Isometric SQ
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