ON Semiconductor - NTMFS4923NET1G

KEY Part #: K6400755

NTMFS4923NET1G Preços (USD) [104703pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.37531
  • 1,500 pcs$0.37345

Número da peça:
NTMFS4923NET1G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 30V 91A SO-8FL.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Single and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTMFS4923NET1G Atributos do produto

Número da peça : NTMFS4923NET1G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 30V 91A SO-8FL
Series : -
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 12.7A (Ta), 91A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.3 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4850pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 930mW (Ta), 48W (Tc)
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacote / caso : 8-PowerTDFN, 5 Leads

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