Nexperia USA Inc. - BSH205G2R

KEY Part #: K6417562

BSH205G2R Preços (USD) [898121pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.04118
  • 3,000 pcs$0.03698

Número da peça:
BSH205G2R
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 20V 2A SOT23.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Nexperia USA Inc. BSH205G2R electronic components. BSH205G2R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSH205G2R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSH205G2R Atributos do produto

Número da peça : BSH205G2R
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descrição : MOSFET P-CH 20V 2A SOT23
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 6.5nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 418pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 480mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-236AB
Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Você também pode estar interessado em