TSM60NB099PW C1G Preços (USD) [13321pcs Estoque]
- 1 pcs$3.09371
- Número da peça:
- TSM60NB099PW C1G
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
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TSM60NB099PW C1G Atributos do produto
Número da peça :
TSM60NB099PW C1G
Fabricante :
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição :
MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO247
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
38A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
99 mOhm @ 11.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
62nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2587pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
329W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247
Pacote / caso :
TO-247-3
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