ON Semiconductor - FDN361AN

KEY Part #: K6411316

[13833pcs Estoque]


    Número da peça:
    FDN361AN
    Fabricante:
    ON Semiconductor
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 30V 1.8A SSOT-3.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in ON Semiconductor FDN361AN electronic components. FDN361AN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDN361AN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDN361AN Atributos do produto

    Número da peça : FDN361AN
    Fabricante : ON Semiconductor
    Descrição : MOSFET N-CH 30V 1.8A SSOT-3
    Series : PowerTrench®
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.8A (Ta)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 1.8A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 4nC @ 5V
    Vgs (máx.) : ±20V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 220pF @ 15V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 500mW (Ta)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SuperSOT-3
    Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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