RQ6E055BNTCR Preços (USD) [421931pcs Estoque]
- 1 pcs$0.08766
- 3,000 pcs$0.07404
- Número da peça:
- RQ6E055BNTCR
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - TRIACs and Transistores - Unijunction Programável ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Rohm Semiconductor RQ6E055BNTCR electronic components. RQ6E055BNTCR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RQ6E055BNTCR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RQ6E055BNTCR Atributos do produto
Número da peça :
RQ6E055BNTCR
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
5.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
8.6nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
355pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.25W (Ta)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TSMT6 (SC-95)
Pacote / caso :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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